SK하이닉스가 세계 최초로 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반 최대용량 128GB(기가바이트) 모듈을 개발했습니다.
SK하이닉스 모듈, 차세대 서버 시장을 선도하다!
이 제품은 TSV 기술을 활용해 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했는데요. 속도 측면에서도 DDR3의 데이터 전송속도인 1,333Mbps보다 빠른 2,133Mbps를 구현했으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있습니다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄습니다.
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 주요 고객에 샘플을 제공함으로써, 서버용 D램 시장에서도 기술리더십을 이어 나가게 됐습니다. 이 제품은 내년 상반기부터 본격 양산할 계획입니다.
세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있습니다. 앞으로도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것입니다.
– SK하이닉스 DRAM 개발본부장 홍성주 전무
시장조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 전망입니다. 더불어, DDR4 D램은 2014년 고객 인증을 시작으로 2015년부터는 시장이 본격화돼 2016년 이후에는 시장 주력 제품이 될 것으로 예상됩니다.
TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극)
2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있습니다.
DDR D램 제품별 특징 및 업계 출시 년도
DDR4 | DDR3 | DDR2 | DDR | |
데이터 전송속도(Mbps) | 1,600~3,200Mbps | 800~1,600Mbps | 400~800Mbps | 200~400Mbps |
동작전압(V) | 1.2 | 1.5 / 1.35 | 1.8 | 2.5 |
지원 용량 | 4Gb ~ 16Gb | 512Mb ~ 4Gb | 128Mb ~ 2Gb | 64Mb ~ 1Gb |
업계 출시 년도 | 2013 | 2008 | 2004 | 2001 |