SK하이닉스, 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램 개발

 
 

SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했습니다.

 

단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해, 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 큽니다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄습니다.

 

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원합니다. 전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였습니다.

 

특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했습니다. 또한 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였습니다.

 
 

SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램

 
 

D램개발사업 1z TF장 이정훈 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능/고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔습니다.

 

한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획입니다.

 
 

[참고]
 
■ 정전용량 (Capacitance)
– 전하를 저장할 수 있는 양/능력을 뜻함. D램의 정전용량이 늘어나면 데이터의 유지시간과 정합도가 상승함.
 
■ DDR4 (Double Data Rate 4)
– DDR은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭. DDR1→2→3→4로 세대가 바뀜에 따라, 동작 속도와 전력 소비 등 D램의 성능도 지속 개선되고 있음.
 
■ EUV (Extreme Ultraviolet)
– 극자외선. 반도체 공정 기술이 발전하면서, 더욱 미세한 회로를 그려 넣기 위해서는 이 극자외선을 활용하는 EUV 노광 장비를 사용해야 함.
 
■ HBM3 (High Bandwidth Memory3)
– HBM의 3세대 제품. HBM은 고대역폭 메모리로 TSV 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품. 세대가 올라갈수록 속도가 더욱 향상됨.

 
  
 

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