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7月27日上午(当地时间),崔泰源会长出席了位于美国华盛顿的朝鲜战争纪念公园“追悼墙”揭幕仪式缅怀烈士,慰问遗属。当天,崔泰源会长受邀出席了纪念朝鲜战争停战日举行的“追悼墙(Wall of Remembrance)”揭幕仪式。追悼墙是在朝鲜战争参战纪念公园上刻着美军和驻韩美军附编韩军(KATUSA)阵亡者名字的雕塑,通过韩国政府预算、SK集团等企业和民间募捐建立。
崔泰源会长当天在活动现场会见了参战烈士遗属,对他们的奉献和牺牲表示了感谢。特别是,崔泰源会长会见了已故威廉•韦伯(William Weber)上校的夫人安妮丽•韦伯(Annelie Weber)女士,她以朝鲜战争参战英雄的身份领导了朝鲜战争纪念公园的建设,崔泰源会长与她躬身握手,表达了对牺牲的敬意和慰问。崔泰源会长在当天活动结束后接受记者采访,被问及捐赠100万美元的理由时表示:“追悼墙可以说是韩美同盟的一大象征。如果顺利施工,在这美国心脏地带建成,必会长久留存在更多人的记忆中。”

 

 

 

 

SK hynix成功开发了现有层数最高的238层NAND闪存。SK hynix最近推出了238层512Gb(千兆位)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存样品,计划明年上半年投入量产。公司方面表示:“2020年12月开发176层NAND之后,时隔1年零7个月成功开发了新一代技术。特别是此次238层NAND不仅层数最高,也是世界上尺寸最小的产品,其意义重大。”
此次的238层不仅层数提高,而且尺寸世界最小,与上一代176层相比,生产效率提高了34%。因为相比之前,芯片单位面积容量更大,每个晶圆生产出来的数量更多。与此同时,238层数据传输速度为每秒2.4Gb,比上一代快50%。另外,芯片读取数据时使用的能耗减少了21%,通过降低功耗,在ESG方面也取得了成果。SK hynix计划首先供应用于PC存储设备cSSD(client SSD)的238层产品,之后将产品应用范围扩大到智能手机用和服务器用高容量SSD等。

* NAND闪存根据在一个单元(Cell)中存储多少信息(以位为单位),分为SLC(单层存储单元,1个)-MLC(多层存储单元,2个)-TLC(三层存储单元,3个)-QLC(四层存储单元,4个)-PLC(Penta Level Cell,5个)等规格。随着信息存储量的增加,可以在相同面积存储更多数据