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[보도자료] SK하이닉스, 업계 최초 ‘HBM3’ D램 개발
SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔습니다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품입니다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대* 제품입니다. SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E** D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하며 이 시장의 […]
2021/10/21 -
[보도자료] SK하이닉스, 업계 최대 용량 LPDDR5 모바일 D램 양산
SK하이닉스가 업계 최대 용량인 18GB(기가바이트) LPDDR5 모바일 D램을 양산한다고 8일 밝혔습니다. 이 제품은 최고 사양 스마트폰에 장착돼 고해상도 게임과 동영상을 재생하는 데 최적의 환경을 지원합니다. SK하이닉스는 향후 초고성능 카메라 앱, 인공지능(AI) 등 최신 기술로 적용 범위가 계속 넓어질 것으로 전망했습니다. SK하이닉스 관계자는 “16GB 제품보다 용량이 커지면서 데이터 일시 저장 공간이 확대돼 […]
2021/03/08 -
[보도자료] “SK하이닉스 미래 성장동력” M16 팹 준공
SK하이닉스가 1일 경기도 이천 본사에서 M16 준공식을 개최했습니다. ‘We Do Technology 행복을 열다’라는 주제로 열린 이날 준공식은 코로나19 방역 수칙을 준수하기 위해 그룹 내 행사로 간소하게 진행됐습니다. 최태원 SK그룹 회장, 최재원 수석부회장, 조대식 SK수펙스추구협의회 의장, 박정호 SK하이닉스 부회장, 장동현 SK㈜ 사장, 이석희 SK하이닉스 CEO, 하영구 SK하이닉스 선임사외이사 등 16명은 현장에서 참석하고, 구성원과 […]
2021/02/01 -
[보도자료] SK하이닉스, 세계 최초 DDR5 출시
SK하이닉스가 세계 최초로 DDR5 D램을 출시한다고 6일 밝혔습니다. DDR5는 차세대 D램 규격으로 빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등에 최적화된 초고속, 고용량 제품입니다. SK하이닉스는 2018년 11월 16Gb DDR5를 세계 최초로 개발한 이후 인텔 등 주요 파트너사들에게 샘플을 제공, 다양한 테스트와 동작 검증, 호환성 검증 등을 모두 완료했다고 밝혔습니다. 이로써 SK하이닉스는 향후 DDR5 시장이 활성화되면 […]
2020/10/06 -
[보도자료] SK하이닉스, 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램 개발
SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했습니다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해, 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 큽니다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄습니다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 […]
2019/10/22 -
[보도자료] SK하이닉스, 업계 최고속 ‘HBM2E’ 개발
SK하이닉스가 개발한 업계 최고속 HBM2E D램 SK하이닉스가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에 성공했습니다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였습니다. SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능합니다. 이는 FHD(Full-HD)급 […]
2019/08/12 -
[보도자료] SK하이닉스, 차세대 D램 표준 규격 DDR5 시대 연다
SK하이닉스가 세계 최초로 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 규격을 적용한 DDR5 D램을 개발했습니다. DDR5는 DDR4를 잇는 차세대 D램 표준규격으로 빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등 차세대 시스템에 최적화된 초고속, 저전력, 고용량 제품입니다. SK하이닉스는 최근 개발한 2세대 10나노급(1y) 8Gbit(기가비트) DDR4에 이어, 동일한 미세공정을 적용한 16Gbit DDR5도 주요 칩셋 업체에 제공함으로써 업계를 선도하는 기술경쟁력을 확보할 수 있게 되었습니다. 이 […]
2018/11/15 -
[보도자료] SK하이닉스, 2세대 10나노급(1y) DDR4 D램 개발
SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했습니다. 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상되었으며, 전력 소비도 15% 이상 감축해 업계 최고 수준의 전력 효율도 갖췄습니다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능합니다. 이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술을 적용했습니다. […]
2018/11/12 -
[보도자료] SK하이닉스, 혁신 아이디어 공모전 시상식 개최
SK하이닉스가 22일 (월) 그랜드 워커힐 호텔에서 ‘2018 반도체 혁신 아이디어 공모전’ 시상식을 개최했다고 23일(화) 밝혔습니다. SK하이닉스는 지난해 이 공모전을 처음 개최하면서 전문지식이 요구되는 반도체 회사가 외부인을 대상으로 기술 혁신 아이디어를 공모하는 것이 이례적이라는 평가를 받은 바 있습니다. 올해는 D램/낸드 제품의 소자 및 공정 분야에 한정했던 지난해와 달리 D램/낸드/CIS 제품의 설계, 장비, […]
2018/10/23